物料采购

芯片型号
onsemi(安森美)


型号: FDBL9403-F085T6

封装: HPSOF-8L

描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):300A 功率(Pd):159.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.84mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250μA 栅极电荷(Qg@Vgs):108nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):6.985nF@25V 反向传输电容

型号: FDL100N50F

封装: TO-264-3

 

型号: ESD9B3.3ST5G

封装: SOD-923

描述:极性:Bidirectional 反向关断电压(典型值):3.3V (Max) 击穿电压(最小值):5V 箝位电压:11.5V 峰值脉冲电流(10/1000us):2A TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器

型号: MMSD4148T1G

封装: SOD-123

描述:二极管配置:独立式 功率:425mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V@10mA 反向电流(Ir):5μA@75V 反向恢复时间(trr):4ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)

型号: ESD9X3.3ST5G

封装: SOD-923

描述:极性:Unidirectional 反向关断电压(典型值):3.3V (Max) 击穿电压(最小值):5V 箝位电压:10.4V 峰值脉冲电流(10/1000us):9.8A (8/20us)

型号: MMSZ4690T1G

封装: SOD-123

描述:二极管配置:独立式 稳压值(标称值):5.6V 稳压值(范围):5.32V~5.88V 功率:500mW 反向电流(Ir):10μA@4V 5.32V~5.88V,0.5W

型号: ESD5B5.0ST1G

封装: SOD-523

描述:极性:Bidirectional 反向关断电压(典型值):5V (Max) 击穿电压(最小值):5.8V

型号: TCA0372DWR2G

封装: SOIC-16

描述:运放类型:General Purpose 放大器组数:2 增益带宽积(GBP):1.4MHz 压摆率(SR):1.4 V/us 电源电压:5V ~ 40V, ± 2.5V ~ 20V 各通道供电电流:1.03mA

型号: MC74AC138DR2G

封装: SOIC-16

描述:类型:解码器/多路解器 低电平输出电流(IOL):24mA 高电平输出电流(IOH):24mA 供电电源:单电源 供电电压:2V~6V 工作温度:-40℃~+85℃

型号: NCL30001DR2G

封装: SOIC-16

 

型号: MC74HCT4051ADR2G

封装: SOIC-16

 

型号: MC74HC139ADR2G

封装: SOIC-16

描述:类型:解码器/多路解器 低电平输出电流(IOL):5.2mA 高电平输出电流(IOH):5.2mA 供电电源:单电源 供电电压:2V~6V 工作温度:-55℃~+125℃

型号: NCP1395ADR2G

封装: SOIC-16

 

型号: NCP13992ACDR2G

封装: SOIC-16

 

型号: MC14020BDR2G

封装: SOIC-16

 

型号: NCV1413BDR2G

封装: SOIC-16

描述: 50V 0.5A 7NPN达林顿

型号: MC14017BDR2G

封装: SOIC-16

描述:逻辑类型:计数器,十进制 方向:上 元件数:1 单元件位数:10 复位方式:异步 计数速率:16MHz 触发器类型:正边沿 工作电压:3V~18V 工作温度:-55℃~+125℃

型号: NCP1396ADR2G

封装: SOIC-16

 

 

 
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